半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法
创业项目的背景
这业务地属长江三角型地方某发达国家级别光电器件服务业园区,中小型企业主要是的生产855英寸和1255英寸晶圆,每日量增强2万片。现在生产量增强,多余的废渣工作控制系统已是没办法实现安全条件,人们非常发展改革。业务总资金约11000万元,制定工作性能为300吨/日,于202一年建造投用。
焦化废水组成及源于
该客户晶圆小学划片制作工序发生的工业废水其主要带有接下来部分:
割切历程中的使用的粉磨液余留物,包括组成为二氧化反应硅粉末、表明催化润湿剂和可挥发修改剂
晶圆表面上洗掉生成的含氟化工废水,氟阴阳离子氧浓度在80-120mg/L
小量巨资属阴阳离子如铜、镍等,来源地于割切工貝划痕
生产液体剩余的,也包括异丙醇、二甲苯等
pH值冲击较少,大多数在4-10之間
处理制作工作流程图
真对化工废水特质,设定按照"有机化学预清理+什么是生化清理+深度的清理"的乐队组合的工艺:
调整池
:稳定污水水质供水量,设定pH线下数据监测和自动化投药设备
沥青混凝土沉淀出的
:加药系统PAC和PAM,除去自动隐藏物和氢氧化铁杂质
气浮模块
:用到溶气气浮加工制作工艺 进十步除掉狗瘟颗粒状和大部分设计物
生化学处置
:采取MBR膜菌物不良催化反应器,废水氧化还原电位维护在8000-10000mg/L
的深度加工
:活性酶类炭吸收+反融入施工工艺,确保安全生产出液合格
飞灰除理
:板框压滤机厂家甩干,飞灰含水量率减少为60%低于
治疗实际效果
系统固定正常运作后,溢水水的质量齐全完成《电子设备工业化水被污物尾气尾气排放准则准则》(GB39731-2020)特点尾气尾气排放准则最大限度要:
COD<30mg/L
氟阴离子<5mg/L
悬浮物物<10mg/L
血本属一项统计指标均不低于允许值
大型项目次年可减低的污染物质产生量约COD 32吨、氟化物8.5吨,工业废水处理水率提高75%左右,为厂家节约电费支出费用约110万元/年。